TY  - THES
AU  - Redondo Romero, Estefanía
A3  - González Díaz, Germán
PY  - 2004
DO  - b21988584
SN  - 978-84-669-1756-8
UR  - https://hdl.handle.net/20.500.14352/55508
AB  - El objetivo de este trabajo ha sido la optimizacion tanto de la intercara aislante-semiconductor, como de los pasos tecnologicos necesarios para fabricar un transistor de efecto de campo de buena calidad, con estructura de puerta Al/SiNx:H/InP. En el...
LA  - spa
PB  - Universidad Complutense de Madrid, Servicio de Publicaciones
KW  - Transistores
TI  - Realización de transistores misfet sobre semiconductores compuestos del grupo III-V
M3  - doctoral thesis
ER  -