RT Dissertation/Thesis
T1 Estudio óptico de la cinética de obtención de óxidos de semiconductor y semimetal en lámina delgada por ablación e irradiación láser
A1 Vega Lerin, Fidel
AB El trabajo presenta un estudio de la cinética de obtención de óxidos de semiconductor y semimetal en lámina delgada. Se utilizan dos procedimientos experimentales, la deposición de láminas por ablación láser y la irradiación de materiales con láser, ambos en atmósfera reactiva de oxígeno. El trabajo establece una unión entre la cinética del proceso de obtención de los óxidos y sus propiedades ópticas y de estegniometría. Se han utilizado medidas ópticas en tiempo real para seguir "dinámicamente" el proceso de formación y crecimiento del óxido y medidas ópticas y de haces de iones (rbs,nra) para caracterizar sus propiedades. Los resultados muestran los mecanismos responsables de las propiedades observadas en los procesos de obtención y en los óxidos: presencia de especies energéticas, relación de flujos de átomos en el substrato, activación en fase liquida y cambio dinámico de propiedades ópticas.
PB Universidad Complutense de Madrid, Servcio de Publicaciones
SN 978-84-669-0478-0
YR 2002
FD 2002
LK https://hdl.handle.net/20.500.14352/62822
UL https://hdl.handle.net/20.500.14352/62822
LA spa
NO Tesis de la Universidad Complutense de Madrid, Facultad de Ciencias Físicas, Departamento de Física de Materiales, leída el 30-04-1993
DS Docta Complutense
RD 21 abr 2025