RT Dissertation/Thesis
T1 Efectos de una cinética bidimensional de crecimiento sobre la incorporación de impurezas y estructura de semiconductores III-V epitaxiados por haces moleculares
A1 Silveira Martín, Juan Pedro
AB La utilización de una cinética de crecimiento bidimensional en la epitaxia por haces moleculares ha permitido la obtención de capas de gas impurificada con silicio, alcanzándose niveles de densidad de portadores de hasta 2 x 10(19) cm-3. Este límite es debido a la existencia del centro dx, que ancla el nivel de ferni. Una caracterización óptica y eléctrica de este tipo de capas muestra la existencia de defectos de alta impurificación (vacantes de galio-silicio donador, vacante de arsenico-silicio aceptor) sin embargo, la densidad de los mismos no supera 2 x 10(18) cm-3, es decir, menor de un 10% de la densidad de electrones. La aplicación de esta cinética a la obtención de capas con fuerte desajuste de red y de condiciones de crecimiento muy diferentes (inas y alas) ha sido estudiada, observándose una asimetría en el crecimiento de un semiconductor sobre el otro y viceversa. Posteriormente se han obtenido superredes con estos dos materiales.
PB Universidad Complutense de Madrid, Servicio de Publicaciones
SN 978-84-669-0471-1
YR 2002
FD 2002
LK https://hdl.handle.net/20.500.14352/62796
UL https://hdl.handle.net/20.500.14352/62796
LA spa
NO Tesis de la Universidad Complutense de Madrid, Facultad de Ciencias Físicas, Departamento de Física de Materiales, leída el 18-12-1992
DS Docta Complutense
RD 29 abr 2025