TY  - THES
AU  - Silveira Martín, Juan Pedro
A3  - Castaño Palazón, José Luis
PY  - 2002
SN  - 978-84-669-0471-1
UR  - https://hdl.handle.net/20.500.14352/62796
AB  - La utilización de una cinética de crecimiento bidimensional en la epitaxia por haces moleculares ha permitido la obtención de capas de gas impurificada con silicio, alcanzándose niveles de densidad de portadores de hasta 2 x 10(19) cm-3. Este límite...
LA  - spa
PB  - Universidad Complutense de Madrid, Servicio de Publicaciones
KW  - Electrónica
TI  - Efectos de una cinética bidimensional de crecimiento sobre la incorporación de impurezas y estructura de semiconductores III-V epitaxiados por haces moleculares
M3  - doctoral thesis
ER  -