RT Dissertation/Thesis
T1 Crecimiento y caracterizacion de GaAs sobre Si por epitaxia de haces moleculares
A1 González Díez, María Yolanda
AB En este trabajo de tesis se estudian y aportan soluciones a los problemas intrínsecamente ligados al sistema epitaxial GaAs sobre sí. Se ha estudiado el proceso de nucleación, la distribución de tensiones que aparece debido a la diferencia de parámetros de red y de coeficiente de expansión térmica que existe entre estos materiales, el proceso de aniquilación de dominios de antifase que aparecen por el hecho de crecer un material polar sobre uno no polar y se han realizado crecimientos a baja temperatura sobre substratos de sí también tratados a baja temperatura.
PB Universidad Complutense de Madrid, Servicio de Publicaciones
SN 978-84-669-0415-5
YR 2002
FD 2002
LK https://hdl.handle.net/20.500.14352/62785
UL https://hdl.handle.net/20.500.14352/62785
LA spa
NO Tesis de la Universidad Complutense de Madrid, Facultad de Ciencias Físicas, Departamento de Física de Materiales, leída el 05-07-1991
DS Docta Complutense
RD 27 dic 2025