TY  - THES
AU  - González Díez, María Yolanda
A3  - González Sotos, Luisa
PY  - 2002
SN  - 978-84-669-0415-5
UR  - https://hdl.handle.net/20.500.14352/62785
AB  - En este trabajo de tesis se estudian y aportan soluciones a los problemas intrínsecamente ligados al sistema epitaxial GaAs sobre sí. Se ha estudiado el proceso de nucleación, la distribución de tensiones que aparece debido a la diferencia de...
LA  - spa
PB  - Universidad Complutense de Madrid, Servicio de Publicaciones
KW  - Propiedades de materialesSemiconductoresTecnología de materialesCiencias TecnológicasFísica del estado sólidoFísica
TI  - Crecimiento y caracterizacion de GaAs sobre Si por epitaxia de haces moleculares
M3  - doctoral thesis
ER  -