RT Dissertation/Thesis
T1 Emergent interfacial phenomena in complex-oxide based devices
T2 Fenómenos emergentes de intercara en dispositivos basados en óxidos complejos
A1 Gallego Toledo, Fernando
AB En los últimos años, la demanda de ordenadores con mayor velocidad de computación y capacidad en un menor tamaño ha generado un gran interés en la exploración de materiales que puedan ser útiles en esos ámbitos. En particular, los óxidos basados en metales de transición (TMOs) han atraído gran atención en los últimos años debido al amplio abanico de propiedades físicas que pueden aparecer en estos sistemas gracias a la interacción entre algunas de sus características que en un principio deberían ser independientes entre sí, como el espín, la carga, la órbita, la red, etc. En concreto, las propiedades de conducción del sistema pueden variar desde aislante a metal, pasando por superconductor. La estructura común en todos estos sistemas es el tipo perovskita. Una parte muy importante de estos sistemas es la superficie (o intercara), que es una zona donde la distancia entre iones, y por lo tanto sus enlaces, se altera, debido en parte a la ruptura de simetría. Esto, unido a las reconstrucciones electrónicas que se dan, promueve la aparición de nuevas fases en superficies e intercaras. La valencia mixta de los iones implicados en estos sistemas favorece la transferencia de carga necesaria para la reconstrucción electrónica interfacial, lo cual desemboca en propiedades físicas que se producen sólo en una sección reducida del sistema, como es la intercara...
PB Universidad Complutense de Madrid
YR 2021
FD 2021-05-14
LK https://hdl.handle.net/20.500.14352/11582
UL https://hdl.handle.net/20.500.14352/11582
LA spa
NO Tesis inédita de la Universidad Complutense de Madrid, Facultad de Ciencias Físicas, leída el 27-10-2020
DS Docta Complutense
RD 9 abr 2025