RT Dissertation/Thesis
T1 Láminas delgadas de SiNx:H y SiOx depositadas mediante la técnica ECR-CVD para su aplicación en estructura MIS
A1 García Sánchez, Silvia
AB La memoria presentada constituye un estudio en profundidad de la técnica electron-cyclotron resonance de deposito de laminas delgadas de los aislantes sinx: h y siox. Se han analizado los principales parámetros de producción que afectan a las propiedades de las laminas, como son la potencia de microondas, la temperatura del portasustratos, la relación de flujos de los gases (n2/sihy para el sinx:h; 02/sihy para el siox) y la presión total en la cámara. Se han estudiado las principales caracteristicas físicas de las laminas en función de tales parámetros, encontrándose las condiciones para obtener caracteristicas optimas. Se han aplicado estas laminas a la realización y caracterización de estructuras mis sobre sí y sobre inp. Se han obtenido caracteristicas c-v sobre ambos tipos de estructuras de las mejores encontradas en la literatura, siendo factible la utilización de tales estructuras en dispositivos de efecto campo.
PB Universidad Complutense de Madrid, Servicio de Publicaciones
SN 978-84-669-0872-6
YR 2002
FD 2002
LK https://hdl.handle.net/20.500.14352/62880
UL https://hdl.handle.net/20.500.14352/62880
LA spa
NO Tesis Universidad Complutense de Madrid, Facultad de Ciencias Físicas, Departamento de Física Aplicada III (Electricidad y Electrónica), 1996
DS Docta Complutense
RD 19 may 2024