RT Generic
T1 Fabricación y caracterización de dispositivos optoelectrónicos basados en materiales 2D
T1 Fabrication and characterization of optoelectronic devices based on 2D materials
A1 Pérez Rey, Paula
AB Se presenta la caracterización óptica y eléctrica de una heteroestructura MoS₂/ZrSe₃, fabricada mediante el método de transferencia determinística en seco. Este estudio explora la modulación de lafotoluminiscencia (PL) de MoS₂ inducida por la proximidad con ZrSe₃, un material cuyas propiedades físicas presentan una fuerte dependencia direccional, atribuida a su estructura cristalina altamenteanisotrópica en el plano. Las medidas de PL a temperatura ambiente revelan un corrimiento al rojo y una modulación en la intensidad en función de la polarización de la luz incidente, atribuibles a la formación de la heteroestructura con el ZrSe₃. Estas observaciones sugieren una transferencia de anisotropía por proximidad. Por otro lado, la caracterización eléctrica muestra comportamiento tipo n con buena respuesta al campo eléctrico y contactos óhmicos eficientes. En conjunto, estos hallazgos evidencian el impacto de los efectos interfaciales en las propiedades ópticas del MoS₂ y resaltan su potencial en el diseño de dispositivos optoelectrónicos sensibles a la polarización.
YR 2025
FD 2025
LK https://hdl.handle.net/20.500.14352/128642
UL https://hdl.handle.net/20.500.14352/128642
LA spa
DS Docta Complutense
RD 30 dic 2025