RT Dissertation/Thesis
T1 Estudio de la naturaleza y distribucion de defectos en obleas de GaAs mediante tecnicas de inyeccion de haces
A1 Méndez Martín, María Bianchi
AB Los estudios realizados sobre el gaas presentados en esta memoria aportan información acerca de la naturaleza de defectos (dislocaciones y defectos puntuales) en obleas de gaas semiconductor y gaas semiaislante. El empleo de la catodoluminiscencia (cl) y la microscopia electroacustica de barrido (meab) de forma combinada nos ha permitido obtener resultados nuevos tanto acerca de las posibilidades de aplicación de estas tecnicas a semiconductores III-v como sobre la caracterización de las obleas mencionadas de gaas. Asimismo se ha abordado el problema de la homogeneidad de las obleas de gaas monocristalinas desde nuevos puntos de vista, al emplear la microscopia electroacústica de barrido.
PB Universidad Complutense de Madrid, Servicio de Publicaciones
SN 978-84-669-0440-7
YR 2002
FD 2002
LK https://hdl.handle.net/20.500.14352/62790
UL https://hdl.handle.net/20.500.14352/62790
LA spa
NO Tesis de la Universidad Complutense de Madrid, Facultad de Ciencias Físicas, Departamento de Física de Materiales, leída el 30-09-1991
DS Docta Complutense
RD 9 abr 2025