RT Dissertation/Thesis
T1 Implantación iónica en InP para aplicaciones en dispositivos
A1 Martín Pacheco, Jaime Miguel
AB La presente tesis muestra en primer lugar los sistemas de control diseñados y desarrollados para conseguir el perfecto funcionamiento del implantador de la facultad de físicas. Se presenta luego un completo estudio de la obtención por implantación de capas tipo n (por implantaciones de si y si/p), tipo p (con mg, mg/p o mg/ar) y capas de alta resistividad (por he y ti) en inp, tanto desde el punto de vista eléctrico (medidas de resistividad y efecto hall y de sims) como óptico (por fotoluminiscencia y espectroscopia raman). Finalmente, se describen las características en continua y alterna de uniones schottky y p-n, realizadas por implantación tanto en sustratos semiaislantes como en sustratos con conductividad tipo n o p. Las medidas en alterna incluyeron las técnicas de espectroscopia de admitancias y dlts, y pusieron de manifiesto la aparición de varios niveles profundos debidos al tratamiento de rta aplicado, asi como otros debidos a defectos introducidos por la implantación.
PB Universidad Complutense de Madrid, Servicio de Publicaciones
SN 978-84-669-0429-2
YR 2002
FD 2002
LK https://hdl.handle.net/20.500.14352/62854
UL https://hdl.handle.net/20.500.14352/62854
LA spa
NO Tesis la Universidad Complutense de Madrid, Facultad de Ciencias Físicas, Departamento de Física Aplicada III (Electricidad y Electrónica), leída el 25-01-1995
DS Docta Complutense
RD 25 feb 2026