RT Dissertation/Thesis
T1 Caracterización "in situ" de la morfología y los procesos de relajación durante el crecimiento mediante epitaxia por haces moleculares de heteroestructuras de semiconductores III-V
A1 González Sagardoy, María Ujué
AB En este trabajo de tesis doctoral se ha abordado el estudio in situ de dos aspectos fundamentales en el crecimiento de sistemas heteroepitaxiales con diferencia de parámetros de red: los procesos de relajación y la evolución de la morfología. Para llevar a cabo el seguimiento de la morfología hemos utilizado la técnica de dispersión de luz, mientras que la evolución de la relajación ha sido determinada mediante la monitorización óptica, a través de la deflexión de un haz láser, de la curvatura inducida en el substrato por la tensión a que se ve sometida la capa. Puesto que los mecanismos que intervienen en la relajación de los sistemas y en la evolución de la morfología dependen de que la diferencia de parámetros de red entre los constituyentes del sistema heteropitaxial sea grnede (***) o pequeña (***), hemos analizado ambos tipos de sistemas. En concreto, hemos estudiado el sistema In0,2Ga0,8As/GaAs (001) (*** ), que se caracteriza porque la relajación se produce mediante la formación de una red ordenada de dislocaciones de desacople en la intercara y por el desarrollo en la intercara y por el desarrollo en la superficie de una morfología de surcos entrecruzados, y el sistema InAs/InP (001) (***), donde la relajación se produce de manera elástica a través de la formación de hilos cuánticos
PB Universidad Complutense de Madrid, Servicio de Publicaciones
SN 978-84-669-1739-1
YR 2004
FD 2004
LK https://hdl.handle.net/20.500.14352/55086
UL https://hdl.handle.net/20.500.14352/55086
LA spa
NO Tesis de la Universidad Complutense de Madrid, Facultad de Ciencias Físicas, Departamento de Física de Materiales, leída el 11-11-2002
DS Docta Complutense
RD 5 abr 2025