RT Dissertation/Thesis
T1 Análisis de interfases metálicas y su modificación por bombardeo iónico
A1 Jiménez Sáez, José Carlos
AB Los siguientes efectos inducidos por el bombardeo de haces de iones de un material se analizan mediante una técnica de simulación Monte Carlo basada en la aproximación de colisión binaria (BCA): * La recolocación o implantación preferencial de átomos dispersados dentro de un sólido homogéneo multicomponente, aplicada al caso del sistema: Lu0,5Fe0,5. * El mezclado atómico en sistemas multicapa: Fe/Zr, Fe/Ni y Fe/Al. * El mezclado atómico en sistemas bicapa: Zr(50nm)/Ni y Ni(50nm)/Zr. Se realiza una interfases. Un método de simulación basado en la técnica de dinámica molecular (MD) se utiliza para analizar interfases metálicas con bajo y alto desajuste en sus parámetros de red. Los potenciales que se usan son, por un lado, el potencial del método del átomo embebido (EAM) desarrollado por Foiles para Ni, Cu y Pd, y por otro, el potencial desarrollado por Ackland para Ag, Au y Cu. * Se muestra la distribución de energía potencial en una interfase Ni/Pd(001) * Se describe la relajación, estructura y energía de la interfase Ni/Cu(001) con bajo desajuste de red. Se encuentra crecimiento pseudomórfico. * Se describe la estructura de los sistemas tricapa: Cu/Ni/Cu(001) y Ni/Cu/Ni(001). * Se analiza la relajación, estructura y energía de las interfases Au/Cu(001) y Cu/Au(001) con alto desajuste de red. Sólo se encuentra crecimiento pseudomórfico en la última. Aproximación de Colisión Binaria y Dinámica Molecular, Sistemas Bicapa y Multicapa, Mezclado Atómico
PB Universidad Complutense de Madrid, Servicio de Publicaciones
SN 978-84-669-1743-8
YR 2004
FD 2004
LK https://hdl.handle.net/20.500.14352/55070
UL https://hdl.handle.net/20.500.14352/55070
LA spa
NO Tesis de la Universidad Complutense de Madrid, Facultad de Ciencias Físicas, Departamento de Física Aplicada III (Electricidad y Electrónica), leída el 10-07-2002
DS Docta Complutense
RD 28 abr 2024