%0 Thesis
%A Campillo Iglesias, Bruno
%T Estudio del efecto de diferentes electrodos metálicos enestructuras MOS con dieléctrico de puerta de alta-K (Study of the effect of different metallic electrodes on high-Kdielectric MOS structures)
%D 2012
%U https://hdl.handle.net/20.500.14352/46477
%X Los principales temas estudiados en el presente proyecto son:Evolución de estructuras multi-capa GD_2O_3/SC_2O_3, depositadas por High Pressure Sputtering (HPS), tras ser tratadas con Forming Gas Anneling (FGA) en películasdieléctricas, amorfas y homogéneas, cuyas propiedades dieléctricas de alta K sugieren que están compuesta por    Gd_xSC_2-xO_3 (0<x<2).Estudio de la compatibilidad de metales de puerta/contacto sobre dieléctricos Gd_xSC_2-xO_3 (0<x<2): Pt, Ta/Pt, Ti/Ta, Pt/Al, Ta/Al, Ti/Ta/Al. Análisis de posibles mecanismos de fallo de los metales de contacto asociado a la no conformidad de películas depositadas por E-BEAM.Implementación y optimización de procesos de fotolitografía positiva para el comido selectivo de películas de SiO_2.Reparación y caracterización de equipos de High Pressure Sputtering afectado por problemas de invasión del plasma dentro de los electrodos. [ABSTRACT] The main topics treated in the present project are:Evolution of multi-stack GD_2O_3/SC_2O_3 structures, grown by High Pressure Sputtering (HPS), after a Forming Gas Annealing (FGA) treatment in dielectric films, amorphous and homogeneous, whose high-K dielectric properties suggest that are composed by Gd_xSC_2-xO_3 (0<x<2).Compatibility study of gate/contact metals over Gd_xSC_2-xO_3 (0<x<2) dielectrics: Pt, Ta/Pt, Ti/Ta, Pt/Al, Ta/Al, Ti/Ta/Al. Most-likely failure mechanism analysis of contact metals owing to non-conformal films grown by E-BEAM.Implementation and optimization of positive photolithography processes for the selective etching of SiO_2 films.Reparation and characterization of High Pressure Sputtering equipment suffering problems related to plasma invasion of the electrodes.
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