TY  - THES
AU  - Martín Rodríguez, Álex
A3  - Pastor Pastor, David
PY  - 2024
UR  - https://hdl.handle.net/20.500.14352/107931
AB  - El silicio hiperdopado con centros profundos es un material que está generando gran interés debido a su potencial para incrementar drásticamente la detectividad en la región media del infrarrojo recolectando los fotones de la región infrarroja que...
AB  - Hyperdoped silicon with deep centres is a material that is generating great interest because of its potential to dramatically increase the detectivity in the mid-infrared region by harvesting the photons in the infrared region that are traditionally...
LA  - spa
KW  - Silicio
KW  - Semiconductores de banda intermedia
KW  - Centros profundos
KW  - Caracterización optoelectrónica
KW  - Recocido térmico mediante pulsos láser
KW  - Implantación iónica
KW  - Láminas delgadas
KW  - Medidas de absorción
KW  - Movilidad de portadores
KW  - Resistividad
KW  - Silicon
KW  - Intermediate bandgap semiconductors
KW  - Deep centres
KW  - Optoelectronic characterisation
KW  - Thermal annealing by laser pulses
KW  - Ion implantation
KW  - Thin films
KW  - Absorption measurements
KW  - Carrier mobility
KW  - Resistivity
TI  - Medidas optoelectrónicas de semiconductores hiperdopados con centros profundos
T2  - Optoelectronic measurements of deep-center-hyperdoped semiconductors
M3  - master thesis
ER  -