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oai:docta.ucm.es:20.500.14352/628092023-08-02T16:54:35Zcom_20.500.14352_14col_20.500.14352_22

00925njm 22002777a 4500 dc Mazuelas Esteban, Ángel author 2002 Esta tesis doctoral presenta resultados experimentales de caracterización de heteroestructuras de semiconductores III-v crecidos sobre substratos de gaas por mbe. Se presenta una descripción completa de la difracción de rayos x como herramienta de caracterización de materiales. Se ha aplicado a diversas estructuras tanto sin tensiones como pensionadas. Se han determinado los espesores críticos de diversos semiconductores III-v. Se han estudiado diversos tipos de superredes tensadas. Por ultimo, los estudios anteriores se sintetizan en una propuesta de superred tensada para epitaxias de gaas/si. 978-84-669-0436-0 https://hdl.handle.net/20.500.14352/62809 Caracterización por difracción de rayos X de heteroestructuras de semiconductores III-V : aplicación al diseño de superredes tensadas para epitaxias de GaAs-Si