2026-06-08T11:25:49Zhttps://docta.ucm.es/rest/oai/requestoai:docta.ucm.es:20.500.14352/628092023-08-02T16:54:35Zcom_20.500.14352_14col_20.500.14352_22
Caracterización por difracción de rayos X de heteroestructuras de semiconductores III-V : aplicación al diseño de superredes tensadas para epitaxias de GaAs-Si
Mazuelas Esteban, Ángel
González Sotos, Luisa
Física del estado sólido
Física del estado sólido
2211 Física del Estado Sólido
Tesis de la Universidad Complutense de Madrid, Facultad de Ciencias Físicas, Departamento de Física de Materiales, leída el 17-12-1992
Esta tesis doctoral presenta resultados experimentales de caracterización de heteroestructuras de semiconductores III-v crecidos sobre substratos de gaas por mbe. Se presenta una descripción completa de la difracción de rayos x como herramienta de caracterización de materiales. Se ha aplicado a diversas estructuras tanto sin tensiones como pensionadas. Se han determinado los espesores críticos de diversos semiconductores III-v. Se han estudiado diversos tipos de superredes tensadas. Por ultimo, los estudios anteriores se sintetizan en una propuesta de superred tensada para epitaxias de gaas/si.
Depto. de Física de Materiales
Fac. de Ciencias Físicas
TRUE
pub
2023-06-20T23:40:05Z
2023-06-20T23:40:05Z
2002
1992-12-17
doctoral thesis
https://hdl.handle.net/20.500.14352/62809
XXXX-XXXX
spa
open access
application/pdf
Universidad Complutense de Madrid, Servicio de Publicaciones