González Sotos, LuisaGonzález Díez, María Yolanda2023-06-202023-06-202002978-84-669-0415-5https://hdl.handle.net/20.500.14352/62785Tesis de la Universidad Complutense de Madrid, Facultad de Ciencias Físicas, Departamento de Física de Materiales, leída el 05-07-1991En este trabajo de tesis se estudian y aportan soluciones a los problemas intrínsecamente ligados al sistema epitaxial GaAs sobre sí. Se ha estudiado el proceso de nucleación, la distribución de tensiones que aparece debido a la diferencia de parámetros de red y de coeficiente de expansión térmica que existe entre estos materiales, el proceso de aniquilación de dominios de antifase que aparecen por el hecho de crecer un material polar sobre uno no polar y se han realizado crecimientos a baja temperatura sobre substratos de sí también tratados a baja temperatura.spadoctoral thesisopen accessPropiedades de materiales Semiconductores Tecnología de materiales Ciencias Tecnológicas Física del estado sólido FísicaFísica de materialesFísica del estado sólido2211 Física del Estado Sólido