González Sotos, LuisaMazuelas Esteban, Ángel2023-06-202023-06-202002978-84-669-0436-0https://hdl.handle.net/20.500.14352/62809Tesis de la Universidad Complutense de Madrid, Facultad de Ciencias Físicas, Departamento de Física de Materiales, leída el 17-12-1992Esta tesis doctoral presenta resultados experimentales de caracterización de heteroestructuras de semiconductores III-v crecidos sobre substratos de gaas por mbe. Se presenta una descripción completa de la difracción de rayos x como herramienta de caracterización de materiales. Se ha aplicado a diversas estructuras tanto sin tensiones como pensionadas. Se han determinado los espesores críticos de diversos semiconductores III-v. Se han estudiado diversos tipos de superredes tensadas. Por ultimo, los estudios anteriores se sintetizan en una propuesta de superred tensada para epitaxias de gaas/si.spadoctoral thesisopen accessFísica del estado sólidoFísica del estado sólido2211 Física del Estado Sólido