Piqueras de Noriega, JavierMéndez Martín, María Bianchi2023-06-202023-06-202002978-84-669-0440-7https://hdl.handle.net/20.500.14352/62790Tesis de la Universidad Complutense de Madrid, Facultad de Ciencias Físicas, Departamento de Física de Materiales, leída el 30-09-1991Los estudios realizados sobre el gaas presentados en esta memoria aportan información acerca de la naturaleza de defectos (dislocaciones y defectos puntuales) en obleas de gaas semiconductor y gaas semiaislante. El empleo de la catodoluminiscencia (cl) y la microscopia electroacustica de barrido (meab) de forma combinada nos ha permitido obtener resultados nuevos tanto acerca de las posibilidades de aplicación de estas tecnicas a semiconductores III-v como sobre la caracterización de las obleas mencionadas de gaas. Asimismo se ha abordado el problema de la homogeneidad de las obleas de gaas monocristalinas desde nuevos puntos de vista, al emplear la microscopia electroacústica de barrido.spadoctoral thesisopen accessFísica del estado sólidoFísica del estado sólido2211 Física del Estado Sólido