Estudio correlativo de propiedades electrónicas locales de GaSb mediante microscopías electrónica y túnel de barrido

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dc.contributor.advisorMéndez Martín, Bianchi
dc.contributor.advisorPiqueras de Noriega, Javier
dc.contributor.authorHidalgo Alcalde, Pedro
dc.date.accessioned2023-06-20T15:03:01Z
dc.date.available2023-06-20T15:03:01Z
dc.date.defense2001
dc.date.issued2006
dc.descriptionTesis de la Universidad Complutense de Madrid, Facultad de Ciencias Físicas, Departamento de Física de Materiales, leída el 05-03-2001
dc.description.departmentDepto. de Física de Materiales
dc.description.facultyFac. de Ciencias Físicas
dc.description.refereedTRUE
dc.description.statuspub
dc.eprint.idhttps://eprints.ucm.es/id/eprint/7285
dc.identifier.doib23153404
dc.identifier.isbn978-84-669-1741-4
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.14352/56083
dc.language.isospa
dc.publication.placeMadrid
dc.publisherUniversidad Complutense de Madrid, Servicio de Publicaciones
dc.rights.accessRightsopen access
dc.subject.cdu621.38(043.2)(0.034)
dc.subject.keywordSemiconductores
dc.subject.ucmElectrónica (Física)
dc.titleEstudio correlativo de propiedades electrónicas locales de GaSb mediante microscopías electrónica y túnel de barrido
dc.typedoctoral thesis
dspace.entity.typePublication
relation.isAuthorOfPublicationc834e5a4-3450-4ff7-8ca1-663a43f050bb
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