Óxido de galio nanoestructurado para aplicaciones en fotónica y electrónica
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Publication date
2026
Defense date
23/03/2026
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Universidad Complutense de Madrid
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En el presente trabajo de tesis doctoral titulada “Óxido de galio nanoestructurado para aplicaciones en fotónica y electrónica” se han investigado las propiedades ópticas, estructurales y funcionales del β-Ga2O3, tanto intrínseco como dopado con cromo y estaño, así como su integración en micro- y nanoestructuras para aplicaciones fotónicas y electrónicas. El trabajo combina diseño de nanoestructuras, su caracterización experimental con técnicas de alta resolución y simulaciones numéricas, con el objetivo de desarrollar dispositivos innovadores de detección basados en este óxido de banda prohibida ultra-ancha y gran interés tecnológico...
This doctoral work investigates the optical, structural, and functional properties of β-Ga₂O₃, both intrinsic and doped with chromium and tin, as well as its integration into micro- and nanostructures for photonic and electronic applications. The study combines nanostructure design, high-resolution experimental characterization, and numerical simulations with the aim of developing innovative detection devices based on this ultra-wide bandgap oxide of high technological relevance...
This doctoral work investigates the optical, structural, and functional properties of β-Ga₂O₃, both intrinsic and doped with chromium and tin, as well as its integration into micro- and nanostructures for photonic and electronic applications. The study combines nanostructure design, high-resolution experimental characterization, and numerical simulations with the aim of developing innovative detection devices based on this ultra-wide bandgap oxide of high technological relevance...
Description
Tesis inédita de la Universidad Complutense de Madrid, Facultad de Ciencias Físicas, leída el 23/03/2026













