Alteraciones mucosas y de los maxilares

Abstract

Las últimas líneas de investigación se han encaminado a la posible aplicación del láser para la esterilización de superficies de implantes en las enfermedades periimplantarias.Objetivos: 1) Estudiar las alteraciones cualitativas y cuantitativas tras la irradiación con los láseres de CO2, Er:YAG y Diodo sobre diferentes superficies de implantes, mediante microscopía electrónica de barrido y espectrometría de dispersión de energías de rayos X. 2) Definir las potencias más apropiadas para cada tipo de láser. 3) Analizar el efecto esterilizante de los tres láseres sobre dichas superficies de implantes contaminadas en un medio de cultivo por bacterias periodontopatógenas (A. actinomycetemcomitans, P. intermedia y P. gingivalis). Materiales y Metodología: Se han empleado 63 implantes divididos en tres grupos de 21 implantes cada uno según el tipo de tratamiento de superficie: hidroxiapatita (HA), arenados (RBM) y grabados-pasivados (TSA). Se utilizaron tres sistemas de láser: CO2 a 5 y 8W de potencia, Er:YAG a 150 y 350 mJ, y Diodo a 5 y 10W. Para la observación de los implantes se utilizó un microscopio electrónico de barrido JEOL modelo JSM 6400 que lleva incorporado un espectrómetro Oxford modelo INCA. El material microbiológico empleado fueron cepas de A. actinomycetemcomitans incubadas en el medio Dentaid-1 selectivo, y cepas de P. intermedia y P. gingivalis incubadas en el medio general agar-sangre. Para la fijación de las muestras se utilizó glutaraldehido al 25%, fosfato monosódico e hidróxido sódico al 2,26%, agua destilada y acetonas a varios porcentajes. Resultados y conclusiones: La irradiación de los implantes con potencias de 5W con láser de CO2, 150 mJ con láser de Er:YAG, y 5W con láser de diodo no ha producido alteraciones cualitativas ni cuantitativas sobre los implantes con superficies arenadas (RBM) y grabadas-pasivadas (TSA). La aplicación de los tres tipos de láser sobre los implantes de hidroxiapatita ha provocado importantes alteraciones de superficie. Cuando se irradiaron implantes contaminados, sólo el láser de diodo a 5W consiguió inhibir el crecimiento de los tres gérmenes estudiados. El láser de CO2 a 5W sólo inhibió el crecimiento de P. intermedia, mientras que el láser de Er:YAG a 150 mJ no inhibió el crecimiento de ninguno de los tres gérmenes. El láser de diodo puede suponer una alternativa terapéutica en el tratamiento de las enfermedades periimplantarias.