Emergent interfacial phenomena in complex-oxide based devices

Abstract

En los últimos años, la demanda de ordenadores con mayor velocidad de computación y capacidad en un menor tamaño ha generado un gran interés en la exploración de materiales que puedan ser útiles en esos ámbitos. En particular, los óxidos basados en metales de transición (TMOs) han atraído gran atención en los últimos años debido al amplio abanico de propiedades físicas que pueden aparecer en estos sistemas gracias a la interacción entre algunas de sus características que en un principio deberían ser independientes entre sí, como el espín, la carga, la órbita, la red, etc. En concreto, las propiedades de conducción del sistema pueden variar desde aislante a metal, pasando por superconductor. La estructura común en todos estos sistemas es el tipo perovskita. Una parte muy importante de estos sistemas es la superficie (o intercara), que es una zona donde la distancia entre iones, y por lo tanto sus enlaces, se altera, debido en parte a la ruptura de simetría. Esto, unido a las reconstrucciones electrónicas que se dan, promueve la aparición de nuevas fases en superficies e intercaras. La valencia mixta de los iones implicados en estos sistemas favorece la transferencia de carga necesaria para la reconstrucción electrónica interfacial, lo cual desemboca en propiedades físicas que se producen sólo en una sección reducida del sistema, como es la intercara...