Características electrónicas de diferentes dispositivos somentidos a radiación baja de neutrones y gamma

Abstract

En esta memoria, se han presentado las características electrónicas de diferentes dispositivos en tecnología CMOS (Switches Analógicos, Circuitos de Supervisión, Amplificadores de Aislamiento y Conversores Analógico-Digitales), incluyendo las de los dispositivos discretos sometidos a radiación baja de neutrones y gamma residual (5x1012-1014 n·cm-2 y 0.2-2 kGy (Si)). Los experimentos de radiación se realizaron en una fuente de neutrones especialmente dedicada. Para ello, se diseñó un sistema automático de caracterización, que fue optimizado para realizar un seguimiento exhaustivo de los parámetros durante el proceso de irradiación. En la mayor parte de los casos, los datos experimentales concordaban con las predicciones teóricas realizadas previamente. Los resultados muestran que el daño principal a los dispositivos irradiados es la TID. Los efectos de la TID se atribuyen a la energía depositada en los dispositivos por la radiación en forma de ionización. Por lo tanto, se han observado unas modificaciones en los parámetros electrónicos de los diferentes dispositivos. Las causas más importantes de la degradación son la modificación de tensión umbral y la aparición de corrientes de fuga inducidas por la TID.