Aviso: para depositar documentos, por favor, inicia sesión e identifícate con tu cuenta de correo institucional de la UCM con el botón MI CUENTA UCM. No emplees la opción AUTENTICACIÓN CON CONTRASEÑA
 

Caracterización por difracción de rayos X de heteroestructuras de semiconductores III-V : aplicación al diseño de superredes tensadas para epitaxias de GaAs-Si

Simple item page
dc.contributor.advisorGonzález Sotos, Luisa
dc.contributor.authorMazuelas Esteban, Ángel
dc.date.accessioned2023-06-20T23:40:05Z
dc.date.available2023-06-20T23:40:05Z
dc.date.defense1992-12-17
dc.date.issued2002
dc.descriptionTesis de la Universidad Complutense de Madrid, Facultad de Ciencias Físicas, Departamento de Física de Materiales, leída el 17-12-1992
dc.description.abstractEsta tesis doctoral presenta resultados experimentales de caracterización de heteroestructuras de semiconductores III-v crecidos sobre substratos de gaas por mbe. Se presenta una descripción completa de la difracción de rayos x como herramienta de caracterización de materiales. Se ha aplicado a diversas estructuras tanto sin tensiones como pensionadas. Se han determinado los espesores críticos de diversos semiconductores III-v. Se han estudiado diversos tipos de superredes tensadas. Por ultimo, los estudios anteriores se sintetizan en una propuesta de superred tensada para epitaxias de gaas/si.
dc.description.departmentDepto. de Física de Materiales
dc.description.facultyFac. de Ciencias Físicas
dc.description.refereedTRUE
dc.description.statuspub
dc.eprint.idhttps://eprints.ucm.es/id/eprint/1895
dc.identifier.isbn978-84-669-0436-0
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.14352/62809
dc.language.isospa
dc.publication.placeMadrid
dc.publisherUniversidad Complutense de Madrid, Servicio de Publicaciones
dc.rights.accessRightsopen access
dc.subject.keywordFísica del estado sólido
dc.subject.ucmFísica del estado sólido
dc.subject.unesco2211 Física del Estado Sólido
dc.titleCaracterización por difracción de rayos X de heteroestructuras de semiconductores III-V : aplicación al diseño de superredes tensadas para epitaxias de GaAs-Si
dc.typedoctoral thesis
dspace.entity.typePublication

Download

Original bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Thumbnail Image
Name:
T18102.pdf
Size:
7.06 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
downoload Download

Collections

Tesis Doctorales