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Aplicacion de la tecnica ALMBE a los sistemas epitaxiales GaAsnAlGaAs, n-GaAsInGaAs y AlAsInAsGaAs para dispositivos HEMT

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2002
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Universidad Complutense de Madrid, Servicio de Publicaciones
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En esta memoria se presenta la obtención y caracterización de materiales semiconductores de movilidad electrónica y su aplicación a transistores de efecto campo. Para ello se ha utilizado la técnica epitaxial ALMBE (epitaxia por haces moleculares de capas atómicas para obtener epitaxias de alta calidad a bajas temperaturas de substrato en dos campos paralelos. Por un lado en heterouniones invertidas de alta movilidad y por otro lado, en unas nuevas heteroestructuras de alta movilidad electrónica en las que los materiales constituyentes tienen diferente parámetro de red. A lo largo de la memoria se describen las ventajas de estas estructuras sobre las convencionales. El trabajo se complementa con la fabricación de un transistor de efecto campo de alta movilidad electrónica (HEMT) a partir de las epitaxias obtenidas.
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Tesis de la Universidad Complutense de Madrid, Facultad de Ciencias Físicas, Departamento de Física de Materiales, leída el 29-10-1991
UCM subjects
Electrónica (Física)
Unesco subjects
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