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Estudio de la naturaleza y distribucion de defectos en obleas de GaAs mediante tecnicas de inyeccion de haces

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dc.contributor.advisorPiqueras de Noriega, Javier
dc.contributor.authorMéndez Martín, María Bianchi
dc.date.accessioned2023-06-20T23:39:33Z
dc.date.available2023-06-20T23:39:33Z
dc.date.defense1991-09-30
dc.date.issued2002
dc.descriptionTesis de la Universidad Complutense de Madrid, Facultad de Ciencias Físicas, Departamento de Física de Materiales, leída el 30-09-1991
dc.description.abstractLos estudios realizados sobre el gaas presentados en esta memoria aportan información acerca de la naturaleza de defectos (dislocaciones y defectos puntuales) en obleas de gaas semiconductor y gaas semiaislante. El empleo de la catodoluminiscencia (cl) y la microscopia electroacustica de barrido (meab) de forma combinada nos ha permitido obtener resultados nuevos tanto acerca de las posibilidades de aplicación de estas tecnicas a semiconductores III-v como sobre la caracterización de las obleas mencionadas de gaas. Asimismo se ha abordado el problema de la homogeneidad de las obleas de gaas monocristalinas desde nuevos puntos de vista, al emplear la microscopia electroacústica de barrido.
dc.description.departmentDepto. de Física de Materiales
dc.description.facultyFac. de Ciencias Físicas
dc.description.refereedTRUE
dc.description.statuspub
dc.eprint.idhttps://eprints.ucm.es/id/eprint/1876
dc.identifier.isbn978-84-669-0440-7
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.14352/62790
dc.language.isospa
dc.publication.placeMadrid
dc.publisherUniversidad Complutense de Madrid, Servicio de Publicaciones
dc.rights.accessRightsopen access
dc.subject.keywordFísica del estado sólido
dc.subject.ucmFísica del estado sólido
dc.subject.unesco2211 Física del Estado Sólido
dc.titleEstudio de la naturaleza y distribucion de defectos en obleas de GaAs mediante tecnicas de inyeccion de haces
dc.typedoctoral thesis
dspace.entity.typePublication
relation.isAuthorOfPublication465cfd5b-6dd4-4a48-a6e3-160df06f7046
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