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Capas de SiGe policristalino hidrogenado y su aplicación en transistores de película delgada

dc.contributor.authorMartil De La Plaza, Ignacio
dc.contributor.authorSan Andrés Serrano, Enrique
dc.date.accessioned2023-06-20T10:44:32Z
dc.date.available2023-06-20T10:44:32Z
dc.date.issued2004-03
dc.descriptionNational Congress of Materials (7. 2002. Madrid). © Sociedad Española de Cerámica y Vidrio, Consejo Superior de Investigaciones Científicas. Licencia Creative Commons 3.0 España (by-nc). Trabajo financiado por la CICYT, Proyecto MAT 99-1214.
dc.description.abstractEn este trabajo se ha caracterizado el proceso de hidrogenación en un plasma generado por resonancia ciclotrónica de electrones de capas de SiGe policristalino obtenidas mediante cristalización en fase sólida y el efecto de la hidrogenación en las características eléctricas de transistores de película delgada fabricados usando dicho material. Los procesos de hidrogenación se realizaron a 150 y 250 ºC, con duraciones de hasta 11 horas. Los espectros de transmitancia en infrarrojo muestran solamente las bandas de absorción características de los enlaces Si-H. Estas bandas indican que el hidrógeno se incorpora al material enlazándose principalmente con los átomos de silicio. Las medidas de reflectancia en el ultravioleta indican que se crea daño en la superficie de la muestra y que éste aumenta a medida que lo hace el contenido en Ge. Los transistores de película delgada con capa activa de SiGe policristalino muestran un fenómeno de degradación consistente en que la corriente que atraviesa el canal disminuye con el tiempo manteniendo fijas las condiciones de polarización. La hidrogenación de los transistores hace que la degradación sea cada vez más lenta a medida que aumenta el tiempo de proceso en plasma a temperatura constante.
dc.description.abstractThe hydrogenation of polycrystalline SiGe layers, obtained by solid phase crystallization, by an electron ciclotron resonance hydrogen plasma and the influence of this hydrogenation process on the electrical characteristics of thin film transistors fabricated using this material as active layer have been studied The hydrogenation processes were carried out at 150 and 250 degreesC for several times, Lip to 11 hours. Infrared transmission spectra of these samples show only the absorption bands corresponding to Si-H bonds, indicating that hydrogen atoms are bonded mainly to silicon atoms. Ultraviolet reflectance measurements show that the surface damage caused by the plasma exposure increases as the Ge content of the film does. The transistors fabricated using polycrystalline SiGe films as active layer show a degradation phenomenon, consisting of a progressive decrease of the drain current at constant gate and drain Has. The degradation slows down as the hydrogenation time increases at constant temperature.
dc.description.departmentDepto. de Estructura de la Materia, Física Térmica y Electrónica
dc.description.facultyFac. de Ciencias Físicas
dc.description.refereedTRUE
dc.description.sponsorshipCICYT of Spain
dc.description.statuspub
dc.eprint.idhttps://eprints.ucm.es/id/eprint/26075
dc.identifier.issn0366-3175
dc.identifier.officialurlhttp://ceramicayvidrio.revistas.csic.es/index.php/ceramicayvidrio/article/view/548/567
dc.identifier.relatedurlhttp://ceramicayvidrio.revistas.csic.es/
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.14352/51123
dc.issue.number2
dc.journal.titleBoletín de la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio
dc.language.isospa
dc.page.final389
dc.page.initial386
dc.publisherSociedad Española de Cerámica y Vidrio
dc.relation.projectIDMAT 99-1214
dc.rightsAtribución 3.0 España
dc.rights.accessRightsopen access
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by/3.0/es/
dc.subject.cdu537
dc.subject.keywordSiGe Policristalino
dc.subject.keywordHidrogenación
dc.subject.keywordPlasma ECR
dc.subject.keywordTransistor de Película Delgada
dc.subject.keywordDegradación.
dc.subject.keywordAmorphous-Silicon. Germanium.
dc.subject.ucmElectricidad
dc.subject.ucmElectrónica (Física)
dc.subject.unesco2202.03 Electricidad
dc.titleCapas de SiGe policristalino hidrogenado y su aplicación en transistores de película delgada
dc.title.alternativeHydrogenated polycrystalline SiGe films and their application in Thin Film Transistors
dc.typejournal article
dc.volume.number43
dcterms.references1) S. D. Brotherton. “Polycrystalline silicon thin film transistors”, Semicond. Sci. Technol., 10, [-], 721-738 (1995). 2) J.-W. Kim, M.-K. Ryu, K.-B. Kim, C.-W. Hwang, B. S. Bae, M.-K. Han, S.-J. Kim. “Device characteristics of polycrystalline SiGe thin film transistors grown from disilane and germane source gases”, Jpn. J. Appl. Phys., 35, [Part2, 6B], L757-L759 (1996). 3) I.-W- Wu, A. G. Lewis, T.-Y. Huang, A. Chiang. “Effects of trap-state density reduction by plasma hydrogenation in low temperature polysilicon TFT”, IEEE Electron Dev. Lett., 10, [3], 123-125 (1989). 4) S. K. Estreicher, Dj. M. Maric. “What is so strange about hydrogen interactions in germanium?”, Phys. Rev. Lett., 70, [25], 3963-3966 (1993). 5) M. Strutzmann, R. A. Street, C. C. Tsai, J. B. Boyce, S. E. Ready. “Structural, optical and spin properties of hydrogenated amorphous silicon-germanium alloys”, J. Appl. Phys, 66, [2], 569-592 (1989). 6) J. Olivares, A. Rodríguez, J. Sangrador, T. Rodríguez, C. Ballesteros, A. Kling. “Solid phase crystallization of amorphous SiGe films deposited by LPCVD on SiO2 and glass”, Thin Solid Films, 337, [1-2], 51-54 (1999). 7) K. L. Chiang, C. J. Dell’Oca, F. N. Schwettmann. “Optical evaluation of polycrystalline silicon surface roughness”, J. Electrochem. Soc., 126, [12], 2267-2269 (1979). 8) Y.-P. Chou, S.-C. Lee. “Structural, optical and electrical properties of hydrogenated amorphous silicon-germanium alloys”, J. Appl. Phys., 83, [8], 4111-4123 (1998). 9) M. Cardona. “Vibrational spectra of hydrogen in silicon and germanium”, Phys. Stat. Sol., 118, [-], 463-481 (1983). 10) W. Beyer. “Semiconductors and semimetals”, Vol. 61, p.165., N. H. Nickel, Editor. Academic, San Diego, (1999).
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