Architectures based on Ga₂O₃ micro- and nanowires with applications in photonics
dc.contributor.advisor | Méndez Martín, Bianchi | |
dc.contributor.advisor | Nogales Díaz, Emilio | |
dc.contributor.author | Alonso Orts, Manuel | |
dc.date.accessioned | 2023-06-17T11:28:30Z | |
dc.date.available | 2023-06-17T11:28:30Z | |
dc.date.defense | 2020-10-23 | |
dc.date.issued | 2021-05-12 | |
dc.description | Tesis inédita de la Universidad Complutense de Madrid, Facultad de Ciencias Físicas, Departamento de Física de Materiales, leída el 23-10-2020 | |
dc.description.abstract | Transparent Conductive Oxides (TCOs) are materials which combine a very low absorption in the visible range of the electromagnetic spectrum with a moderate electrical conductivity. Among them, gallium oxide ( -Ga2O3) is one of the widest band gap semiconductors (almost 5 eV). Lately, this material is experiencing an exponential increase in its research interest, mainly due to two reasons: the better performance and lower cost of some high power electronic devices of Ga2O3 compared to the semiconductor giants SiC and AlN and the recent development of high quantum efficiency Ga2O3 deep-ultraviolet (deep-UV) photodetectors... | |
dc.description.abstract | Los óxidos conductores transparentes (TCOs, por sus siglas en inglés) son materiales que combinan una baja absorción en el rango visible del espectro electromagnético con una conductividad eléctrica moderada. Perteneciente a la familia de los TCOs, el óxido de galio ( -Ga2O3) tiene uno de los mayores band gaps de todos los semiconductores (casi 5 eV). Últimamente, el interés científico sobre este material está aumentando exponencialmente por dos principales motivos: el desarrollo de dispositivos de Ga2O3 de alta potencia con mejores capacidades y menor coste que los semiconductores comerciales de este sector (SiC y AlN) y el desarrollo de fotodetectores ultravioleta con gran eficiencia cuántica | |
dc.description.faculty | Fac. de Ciencias Físicas | |
dc.description.refereed | TRUE | |
dc.description.status | unpub | |
dc.eprint.id | https://eprints.ucm.es/id/eprint/65443 | |
dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/20.500.14352/11572 | |
dc.language.iso | eng | |
dc.page.total | 202 | |
dc.publication.place | Madrid | |
dc.publisher | Universidad Complutense de Madrid | |
dc.rights.accessRights | open access | |
dc.subject.cdu | 621.382(043.2) | |
dc.subject.keyword | Metal oxide semiconductors | |
dc.subject.keyword | Dispositivos MOS | |
dc.subject.ucm | Física de materiales | |
dc.title | Architectures based on Ga₂O₃ micro- and nanowires with applications in photonics | |
dc.title.alternative | Arquitecturas basadas en micro- y nanohilos de Ga₂O₃ con aplicaciones en fotónica | |
dc.type | doctoral thesis | |
dspace.entity.type | Publication | |
relation.isAdvisorOfPublication | f65096c2-6796-43bf-a661-9e2079b73d1c | |
relation.isAdvisorOfPublication.latestForDiscovery | f65096c2-6796-43bf-a661-9e2079b73d1c | |
relation.isAuthorOfPublication | 1e7a18b4-d4bc-464f-8344-66a453f96dd2 | |
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