Best-fit techniques to estimate SBU/MCU cross sections from radiation-ground tests in memories

Abstract

ABSTRACT: This paper studies the probability distribution for the expected number of bitflips per round of reading in radiation-ground tests on a memory device where only single bit upsets and multiple cell upsets occur. This distribution is used to estimate the soft error cross sections in actual experiments by means of two best-fit approaches, one based on the gradient descent algorithm, the other on genetic algorithms. Besides, it is investigated how this mathematical study is suitable to detect possible variations in the soft error rate due to different reasons, such as variations in the radiation flux. Finally, the inherent stochastic characteristics of the experiments are used to provide tools to detect forgery in experiment data.

RESUMEN: Este artículo estudia la distribución de probabilidad para el número esperado de bitflips por ronda de lectura en pruebas de radiación sobre un dispositivo de memoria donde solo ocurren SBU y/o MCU. Esta distribución se utiliza para estimar las secciones transversales de errores leves en experimentos reales mediante técnicas, una basada en el algoritmo de descenso de gradiente y la otra en algoritmos genéticos. Además, se investiga cómo este estudio matemático es adecuado para detectar posibles variaciones en la tasa de errores leves debido a diferentes razones, como cambios en el flujo de radiación. Finalmente, se utilizan las características estocásticas inherentes de los experimentos para proporcionar herramientas que avisen de una posible falsificación de datos.