Crecimiento coherente de heteroestructuras semiconductoras de baja dimensionalidad

Abstract

Con el objetivo de estudiar y caracterizar la transición de fase 2D-3D del modo de crecimiento Stranski-Krastanov en las heteroestructuras semiconductoras Ge/Si e InAs/GaAs, en el capítulo 2 de esta tesis desarrolla las bases de la teoría elástica clásica, poniendo el énfasis en los resultados que serán de utilidad en el resto de este trabajo. El capítulo 3 describe una aproximación de tipo campo medio para explicar la transición de fase del modo de crecimiento de Stranski-Krastanov en heteroestructuras. Esta aproximación ha permitido analizar los fenomenos de crecimiento asociados a diversos materiales semiconductores de interes tecnológico. En el capítulo 4 se ha desarrollado la teoría elástica continua minimizando el funcional energía elástica de manera exacta a través de las ecuaciones de Euler-Lagrange. En el capítulo 5 se analiza unaa aproximación de carácter semiatomístico para el mismo problema, basada en el modelo de Frenkel-Kontorova. Dicho modelo se ha extendido para permitir pequeños movimientos de los átomos en la dirección de crecimiento para dar cuenta de la transición de fase 2D-3D. Para terminar, se resumen las conclusiones a las que se ha llegado en este trabajo y se plantean posibles líneas de trabajo futuro. Los capítulos 3, 4 y 5 constan de dos partes. En la primera se describe el problema físico a estudiar y se desarrolla la teoría básica a aplicar. En la segunda parte se comentan los artículos publicados, así como las líneas de trabajo futuro. El texto íntegro de dichos artículos aparece al final de esta tesis, acompañados del curriculum investigador de la candidata, donde se puede observar otros proyectos de investigación en física teórica en los que ha tomado parte.