Selective contacts for undoped photovoltaic cells fabricated by high-pressure sputtering

dc.contributor.advisorGarcía Hemme, Eric
dc.contributor.advisorSan Andrés Serrano, Enrique
dc.contributor.authorPérez Zenteno, Francisco José
dc.date.accessioned2026-04-14T15:04:43Z
dc.date.available2026-04-14T15:04:43Z
dc.date.defense2025-11-28
dc.date.issued2026-04-14
dc.descriptionTesis inédita de la Universidad Complutense de Madrid, Facultad de Ciencias Físicas, leída el 28/11/2025
dc.description.abstractThe most widely adopted silicon solar cell architectures, such as TOPCon and HJT, rely on doped layers to serve as carrier-selective contacts that facilitate the extraction of photogenerated charge carriers. However, the fabrication of these doped layers typically requires high-temperature processes and the use of toxic precursor gases (e.g., POCl3, PH3, or BBr3), which increase manufacturing complexity and require strict safety protocols. From a technological perspective, heavily doped silicon layers generally exhibit relatively low bandgaps, which lead to parasitic optical absorption, particularly in the short-wavelength range. In addition, high doping concentrations can enhance Auger recombination, contributing to increased recombination losses. Both effects ultimately reduce the efficiency of the solar cell. Therefore, the investigation of undoped wide-bandgap materials as selective contacts presents a promising strategy to enhance device performance while simplifying the fabrication process and improving environmental compatibility...
dc.description.abstractLas arquitecturas de célula solar de silicio más ampliamente utilizadas, como TOPCon y HJT, se basan en capas dopadas que actúan como contactos selectivos para facilitar la extracción de cargas fotogeneradas. Sin embargo, la fabricación de estas capas dopadas generalmente requiere procesos a alta temperatura y el uso de gases precursores tóxicos (por ejemplo, POCl3, PH3 o BBr3), lo que incrementa la complejidad del proceso de fabricación y exige estrictos protocolos de seguridad. Desde una perspectiva tecnológica, las capas de silicio fuertemente dopado presentan en general bandas prohibidas relativamente bajas, lo que conduce a una absorción óptica parasitaria, particularmente en el rango de longitud de onda corta. Además, altas concentraciones de dopado pueden potenciar la recombinación Auger, contribuyendo a un aumento de las pérdidas por recombinación. Ambos efectos reducen finalmente la eficiencia de la célula solar. Por tanto, la investigación de materiales no dopados con bandas prohibidas amplias como contactos selectivos representa una estrategia prometedora para mejorar el rendimiento del dispositivo, simplificar su fabricación y aumentar su compatibilidad medioambiental...
dc.description.facultyFac. de Ciencias Físicas
dc.description.refereedTRUE
dc.description.statusunpub
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.14352/134751
dc.language.isoeng
dc.page.total224
dc.publication.placeMadrid
dc.publisherUniversidad Complutense de Madrid
dc.rightsAttribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 Internationalen
dc.rights.accessRightsopen access
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
dc.subject.cdu53(043.2)
dc.subject.keywordUndoped photovoltaic cells
dc.subject.keywordHigh-pressure sputtering
dc.subject.keywordCélulas fotovoltaicas
dc.subject.keywordPulverización catódica de alta presión
dc.subject.ucmFísica (Física)
dc.subject.unesco22 Física
dc.titleSelective contacts for undoped photovoltaic cells fabricated by high-pressure sputtering
dc.titleContactos selectivos para células fotovoltaicas sin dopado fabricadas mediante pulverización catódica de alta presión
dc.typedoctoral thesis
dspace.entity.typePublication
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