Fabricación y caracterización de dispositivos optoelectrónicos basados en materiales 2D

Abstract

Se presenta la caracterización óptica y eléctrica de una heteroestructura MoS₂/ZrSe₃, fabricada mediante el método de transferencia determinística en seco. Este estudio explora la modulación de la fotoluminiscencia (PL) de MoS₂ inducida por la proximidad con ZrSe₃, un material cuyas propiedades físicas presentan una fuerte dependencia direccional, atribuida a su estructura cristalina altamente anisotrópica en el plano. Las medidas de PL a temperatura ambiente revelan un corrimiento al rojo y una modulación en la intensidad en función de la polarización de la luz incidente, atribuibles a la formación de la heteroestructura con el ZrSe₃. Estas observaciones sugieren una transferencia de anisotropía por proximidad. Por otro lado, la caracterización eléctrica muestra comportamiento tipo n con buena respuesta al campo eléctrico y contactos óhmicos eficientes. En conjunto, estos hallazgos evidencian el impacto de los efectos interfaciales en las propiedades ópticas del MoS₂ y resaltan su potencial en el diseño de dispositivos optoelectrónicos sensibles a la polarización.