Implantación iónica en InP para aplicaciones en dispositivos

Abstract

La presente tesis muestra en primer lugar los sistemas de control diseñados y desarrollados para conseguir el perfecto funcionamiento del implantador de la facultad de físicas. Se presenta luego un completo estudio de la obtención por implantación de capas tipo n (por implantaciones de si y si/p), tipo p (con mg, mg/p o mg/ar) y capas de alta resistividad (por he y ti) en inp, tanto desde el punto de vista eléctrico (medidas de resistividad y efecto hall y de sims) como óptico (por fotoluminiscencia y espectroscopia raman). Finalmente, se describen las características en continua y alterna de uniones schottky y p-n, realizadas por implantación tanto en sustratos semiaislantes como en sustratos con conductividad tipo n o p. Las medidas en alterna incluyeron las técnicas de espectroscopia de admitancias y dlts, y pusieron de manifiesto la aparición de varios niveles profundos debidos al tratamiento de rta aplicado, asi como otros debidos a defectos introducidos por la implantación.