Para depositar en Docta Complutense, identifícate con tu correo @ucm.es en el SSO institucional. Haz clic en el desplegable de INICIO DE SESIÓN situado en la parte superior derecha de la pantalla. Introduce tu correo electrónico y tu contraseña de la UCM y haz clic en el botón MI CUENTA UCM, no autenticación con contraseña.
 

Estudio del comportamiento de memorias SRAM en función de variables físicas de transistores MOS

dc.contributor.advisorGarcía Hernansanz, Rodrigo
dc.contributor.advisorClemente Barreira, Juan Antonio
dc.contributor.authorDíaz Blazquez, Alejandro
dc.date.accessioned2023-09-25T15:18:52Z
dc.date.available2023-09-25T15:18:52Z
dc.date.issued2023
dc.degree.titleGrado en Ingeniería de Computadores
dc.descriptionTrabajo de Fin de Grado en Ingeniería de Computadores, Facultad de Informática UCM, Departamento de Arquitectura de Computadores y Automática, Departamento de Estructura de la Materia, Física Térmica y Electrónica, Curso 2022/2023.
dc.description.abstractUna de las principales herramientas para la creación de circuitos son los transistores. Estos dispositivos electrónicos actúan como interruptores controlados eléctricamente que permiten la creación de circuitos lógicos que pueden operar con señales de "1" y "0". Los transistores se han convertido en una pieza fundamental para la creación de la tecnología digital moderna, y su presencia es imprescindible en una gran cantidad de dispositivos electrónicos, desde microprocesadores hasta sensores. En este trabajo de fin de grado, se profundizará en el estudio de los transistores, abarcando desde su funcionamiento básico hasta su aplicación en circuitos digitales complejos de memorias SRAM. Se explicará en detalle cómo los transistores permiten la manipulación de las señales eléctricas y cómo se pueden utilizar para la creación de dispositivos lógicos simples y complejos. También se analizarán las características de los diferentes tipos de transistores, como los MOSFETs, y se explorará su uso en circuitos integrados y otros dispositivos electrónicos avanzados. El objetivo final de este trabajo es proporcionar una comprensión sólida de los transistores, así como su aplicación y funcionamiento en el diseño de circuitos electrónicos de memorias SRAM. Además, se espera que este trabajo sirva como una base sólida para futuros estudios en electrónica y tecnología de la información.
dc.description.abstractOne of the main tools for creating circuits are transistors. These electronic devices act as electrically controlled switches allowing the creation of logic circuits that can operate with binary signals. Transistors have become a undamental part of the creation of modern digital technology, and their presence is essential in many electronic devices, from microprocessors to sensors. In this BSc thesis, transistors will be studied in depth, ranging from its basic operation to its application in complex digital circuits of SRAM memories. It will be explained in detail how transistors allow for the manipulation of electrical signals and how they can be used to create simple and complex logic devices. The characteristics of different types of transistors, such as MOSFETs, will also be analyzed, and their use in integrated circuits and other advanced electronic devices will be explored. The goal of this work is to provide a solid understanding of transistors, as well as their application and operation in the design of electronic circuits for SRAM memories. Furthermore, it is hoped that this work will serve as a solid foundation for future studies in electronics and information technology.
dc.description.departmentDepto. de Estructura de la Materia, Física Térmica y Electrónica
dc.description.departmentDepto. de Arquitectura de Computadores y Automática
dc.description.facultyFac. de Informática
dc.description.refereedTRUE
dc.description.statusunpub
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.14352/87933
dc.language.isospa
dc.page.total72
dc.rightsAttribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 Internationalen
dc.rights.accessRightsopen access
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
dc.subject.cdu004(043.3)
dc.subject.keywordTransistor
dc.subject.keywordMemoria
dc.subject.keywordSRAM
dc.subject.keywordLongitud
dc.subject.keywordAnchura
dc.subject.keywordCanal
dc.subject.keywordLTSpice
dc.subject.keywordNanómetros
dc.subject.keywordNMOS
dc.subject.keywordPMOS
dc.subject.keywordMemory
dc.subject.keywordLength
dc.subject.keywordWidth
dc.subject.keywordChannel
dc.subject.keywordNanometers
dc.subject.ucmInformática (Informática)
dc.subject.unesco33 Ciencias Tecnológicas
dc.titleEstudio del comportamiento de memorias SRAM en función de variables físicas de transistores MOS
dc.title.alternativeStudy of SRAM memories´ behavior as a function of physical variables of MOS transistors
dc.typebachelor thesis
dc.type.hasVersionAM
dspace.entity.typePublication
relation.isAdvisorOfPublication838d6660-e248-42ad-b8b2-0599f3a4542b
relation.isAdvisorOfPublication919b239d-a500-4adb-aacf-00206a2c1512
relation.isAdvisorOfPublication.latestForDiscovery838d6660-e248-42ad-b8b2-0599f3a4542b

Download

Original bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Loading...
Thumbnail Image
Name:
87185_ALEJANDRO_DIAZ_BLAZQUEZ_TFG_Alejandro_Diaz_Blazquez_2404368_1500612477.pdf
Size:
1.76 MB
Format:
Adobe Portable Document Format